n沟道MOS管导通条件分析 n沟道MOS管是一种常用的场效应管，其导通条件受到多种因素的影响。本文将从器件结构、控制电压、温度等方面，分析n沟道MOS管导通的条件。 1. 器件结构 n沟道MOS管由源极、漏极和栅极三部分组成。源极和漏极之间的导电区域是n沟道，栅极则用于控制n沟道的导通。当栅极施加正电压时，形成电场，使得n沟道中的电子向漏极方向移动，从而导致管子导通。 2. 控制电压 n沟道MOS管的导通需要施加一定的控制电压。当栅极电压高于阈值电压时，管子开始导通。阈值电压是指在栅极电压为0